TIP41 NPN Epitaxial Silicon Transistor G21

Description

Les transistors de puissance en silicium épitaxial NPN
sont des transistors de puissance bipolaires conçus pour les applications d’amplification de puissance et de commutation à usage général.

Caractéristiques

• Tension de saturation collecteur-émetteur – VCE(sat) = 1,5 V

. Courant collecteur min(Ic=05A) et (Ic=6A)

. Tension collecteur-émetteur = 40 V

Documents:

Fiche de données