Description
Transistor MOSFET IRFB4110 IC 100 V 180 A 370 W TO-220 MOSFET de puissance à canal N 3 broches IC Transistor IRF4110
L’IRFB4110 est une nouvelle génération de famille de MOSFET haute tension qui utilise un mécanisme d’équilibrage de charge avancé pour une résistance à l’état passant exceptionnellement faible et des performances de charge de grille inférieures. Cette technologie avancée a été conçue pour minimiser les pertes de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et résister à des taux dv/dt extrêmes et à une énergie d’avalanche plus élevée. Il est très adapté à diverses conversions de puissance AC/DC en mode de commutation pour la miniaturisation du système et une efficacité supérieure.
Caractéristiques:-
- Redressement synchrone à haut rendement dans les SMPS
- Alimentation électrique sans interruption
- Commutation de puissance à grande vitesse
- Circuits à commutation dure et haute fréquence
Spécification:
- Nombre de canaux : 1 canal
- Polarité du transistor : canal N
- Tension de claquage drain-source (Vds) : 100 V
- Courant de décharge continue (Id) : 180 A
- Résistance drain-source (Rds On) : 4,5 Ohms
- Tension grille-source (Vgs) : 20 V
- Charge de grille (Qg) : 210 nC
- Plage de température de fonctionnement : -55 – 175 °C
- Dissipation de puissance (Pd) : 370 W
Contenu du paquet :
- 1 x IRFB4110 MOSFET N-CH Si 100 V 180 A
